1KV高压陶瓷电容

1

外观、尺寸及标识

无异常

依外观、尺寸及标识标准，尺寸用游标卡尺检查，外观、标识用目视法检查。

2

绝缘电阻

T.C.类

10000MΩMIN

端子间施加额定工作电压，500VDC以上以500VDC测试，测试时间为60秒以内。

HIK类

10000MΩMIN

半导体类

100MΩ×UFMIN

3

耐电压

无破裂短路等明显损坏异状

端子间施加额定电压施压1-5秒，充放电电流为50mA以下。

W.V.＜500VDC   T.V=250%×W.V

1000VDC≧W.V.≥500VDC T.V=200%×W.V

W.V.＝2KVDC T.V=175%×W.V

W.V.＞2KVDC T.V=150%×W.V

4

静电容量

在标准允许误差内

使用频率：

T.C.：≤1000PF检测频率用1MHz

     ＞1000PF检测频率用1KHz

HIK、半导体类：检测频率用1KHz

使用电压：

T.C. 、HIK类用1.0VRMS

半导体类用0.1VRMS

5

Q值和散逸因素DF

T.C.类

C<30PF：Q≥400+20×C

测定条件与静电容量之规定相同

C≥30PF：Q≥1000MIN

HIK类

Y5E、Y5P、Z5U、Y5U：DF≤2.5%

Z5V、Y5V：DF≤5%

半导

体类

Y5P、Y5U：DF≤5%

Y5V：DF≤7.5%

6

温

度

特

性

T.C.类：

C≦4PF  TC ±250PPM/℃

C≦9.9PF  TC ±120PPM/℃

C≧10PF  TC ±60PPM/℃

SL     TC P350-N1000

以25℃之容量值为基准，在（-）、（+）两方最大温度之容量偏差，以变化率表示。

试验步聚见下表：

温度特性容量变化率的计算公式见下表

①T.C.类（PPM）

         T.C.=    C2-C1      ×10⁶

               C1（T2-T1）

②HIK、半导体类

         T.C.=   C2-C1    ×100%

                   C1

HIK、半导体类：

Y5E：±4.7%

Y5P：±10%

Y5U、Z5U：+22%-56%

Y5V、Z5V：+22%-82%

7

焊

锡

附

着

性

及

焊

锡

耐

热

性

外观

端子引线周围至少75%的面积均匀附锡，且本体无破裂等损坏现象。

将元件端子线浸入温度为240℃的溶锡内，端子线浸至离本体边沿2.0-3.0mm处，并保持3+1/-0秒。试验前，将电容器放置85+3-0℃中预热，5分钟后再进行焊锡试验；试验后，电容器须放置室温中24小时后方可进行电气特性的测试。

其电气特性的测试方法：

1.静电容量及散逸因素

使用频率：

T.C.：≤1000PF检测频率用1MHz

     ＞1000PF检测频率用1KHz

HIK、半导体类：检测频率用1KHz

使用电压：

T.C. 、HIK类用1.0VRMS

半导体类用0.1VRMS

2.绝缘电阻：

端子引线间加额定直流电压施压60秒后读出测试仪表所显示之值；

3.耐电压：

端子间加额定直流电压施压1-5秒，充放电电流为50mA以下。

W.V.＜500VDC   T.V=250%×W.V

1000VDC≧W.V.≥500VDC T.V=200%×W.V

W.V.＝2KVDC T.V=175%×W.V

W.V.＞2KVDC T.V=150%×W.V

静电容量变化率

T.C.类：±5%或±0.5PF

HIK、半导体类：

Y5E：±10%；Y5P：±15%；

Y5U、Z5U：±25%

Z5V、Y5V：±30%

Q值或DF

T.C.类：

C<30PF：Q≥400+20×C

C≥30PF：Q≥1000MIN

HIK类：

Y5E/Y5P/Z5U/Y5U：DF≤2.5%

Z5V、Y5V：DF≤5%

半导体类：

Y5P、Y5U：DF≤5%

Y5V：DF≤7.5%

绝缘电阻

T.C.类：10000MΩMIN

HIK类：10000MΩMIN

半导体类：100MΩ×UFMIN

耐电压

本体无损伤及无短路现象发生。

静电容量变化率

T.C.类：最大变化率为±7.5或±0.75PF；

HIK、半导体类：

Y5E最大变化率为±10%；

Y5P最大变化率为±15%；

Z5U、Y5U最大变化率为±20%

Z5V、Y5V最大变化率为±30%

Q值或

散逸因素DF

T.C.类：

C<10PF：Q≥200+10×C

10PF≤C≤30PF Q≥275+2.5×C

C≥30PF：Q≥350MIN

HIK类：

Y5E/Y5P/Z5U/Y5U：DF≤5%

Z5V、Y5V：DF≤7.5%

半导体类：

Y5P、Y5U：DF≤7.5%

Y5V：DF≤10%

绝缘电阻

最小值为500MΩ或25MΩ×UF取最小者

9

高

温

负

荷

（寿命

试验）

外观

无显著之异常现象

计划一：

在试验温度下连续施加2倍W.V.（充放电电流为50mA）1000+48-0小时，试验温度85℃±3℃；

计划二：

在试验温度下连续施加2.5倍W.V.（充放电电流为50mA）500+48-0小时，试验温度100℃±3℃；

试验后置于室温中：

T.C.需放置24小时以上方可测定其电气特性；

HIK、半导体类规格需放置48小时以上方可测定其电气特性；

其电气特性的测试方法：

1.静电容量及散逸因素

使用频率：

T.C.：≤1000PF检测频率用1MHz

     ＞1000PF检测频率用1KHz

HIK、半导体类：检测频率用1KHz

使用电压：

T.C. 、HIK类用1.0VRMS

半导体类用0.1VRMS

2.绝缘电阻：

端子引线间加额定直流电压施压60秒后读出测试仪表所显示之值；

静电容量变化率

T.C.类：最大变化率为±7.5或±0.75PF；

HIK、半导体类：

Y5E最大变化率为±10%；

Y5P最大变化率为±15%；

Z5U、Y5U最大变化率为±20%

Z5V、Y5V最大变化率为±30%

Q值或

散逸因素DF

T.C.类：

C<10PF：Q≥200+10×C

10PF≤C≤30PF Q≥275+2.5×C

C≥30PF：Q≥350MIN

HIK类：

Y5E/Y5P/Z5U/Y5U：DF≤5%

Z5V、Y5V：DF≤7.5%

半导体类：

Y5P、Y5U：DF≤7.5%

Y5V：DF≤10%

绝缘电阻

最小值为500MΩ或25MΩ×UF取最小者

10

端子强度

抗拉强度

导线不断裂，电容器本体不破损。

垂直固定被测物本体，引线向下，负荷施力方向为端线引出方向，施加负荷为1.0 kgf，时间为5秒。

变曲强度

固定被测物体，施加1kgf于端子引线间并变曲90度，回复原来之位置，并反向变曲90度，1次弯曲时间为5秒。

+10

+5

0

NPO

NPO

-5

-10

1

2

3

4

5

6

7

8

NPO

SL

Y5P

X7R

Y5E

Y5U

Y5V

Z5U

Z5V

温度

范围

-25℃~+85℃

-25℃~+85℃

-25℃~+85℃

-55℃~+125℃

-25℃~+85℃

-25℃~+85℃

-25℃~+85℃

+10℃~+85℃

+10℃~+85℃

变化率

+250PPM

P350

-N1000

±10%

±15%

±4.7%

+22%

-56%

+22%

-82%

+22%

-56%

+22%

-82%

8R2

8.2PF

102

1000PF

100

10PF

473

0.047UF

470

47PF

224

0.22UF

101

100PF

105

1.0UF

容量换算公式

1UF=1000NF=1000000PF=10^-6F

C

±0.25PF

J

±5%

S

+50%-20%

D

±0.5PF

K

±10%

Z

+80%-20%

G

±2%

M

±20%

A

16VDC

D

100VDC

G

1000VDC

J

4000VDC

B

25VDC

E

250VDC

H

2000VDC

K

50000VDC

C

50VDC

F

500VDC

I

3000VDC

L

60000VDC

2

2.54±0.8

7

7.62±0.8

5

5.08±0.8

9

9.52±0.8

6

6.35±0.8

10

10±0.8

代码

S

I

O